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半导体晶圆激光切割设施

设施特性

  • 采纳1064nm、532nm波长超快激光器
  • 实时焦距校正系统(DRA),可加工更大尺寸的晶圆片
  • 多激光点切割技术,提供高效率加工
  • 可兼容2寸 、4寸、6寸晶圆片,8寸及12寸用于半导体行业,具备条码读取功能,实现芯片生产进程中实时监控跟踪
  • 具备主动推断斜裂功能,提升了芯片的AOI良率
  • 全主动上下料功能, 无人值守式全主动运行(料盒方式,整盒上下料),产品批量化生产
  • 撑腰SECS-GEM半导体协议

机型特性

设施类型 DSI9486 DSI9286 DSI9199 DSI9386
加工类型 皮秒改质切割 纳秒改质切割 皮秒改质切割 皮秒改质切割
切割尺寸 2″,4″,6″ 2″,4″,6″,8″ 2″,4″,6″ 2″,4″,6″
x轴(工作台) 最大切割范围 180mm 200mm 180mm 180mm
最大切割速度 1000mm/s 1000mm/s 1000mm/s 1000mm/s
Y轴(工作台) 最大切割范围 180mm 200mm 180mm 180mm
Y轴反复精度 0.001mm 0.001mm 0.001mm 0.001mm
Z轴 移动量分辨率 0.0001mm 0.0001mm 0.0001mm 0.0001mm
反复精度 0.001mm 0.001mm 0.001mm 0.001mm
θ轴 定位精度 15 arc – sec 15 arc – sec 15 arc – sec 15 arc – sec
最大旋转角度 210deg 210deg 210deg 210deg
激光器类型 超快激光器 纳秒非超快激光器 超快激光器 超快激光器
别的参数 主动化程度 全主动 全主动 全主动 全主动
操纵系统 PC+PLC PC+PLC PC+PLC PC+PLC
电力需求 220V/单相/50Hz/15A 220V/单相/50Hz/15A 220V/单相/50Hz/15A 220V/单相/50Hz/15A
压缩气氛 0.4~0.8MPa

压缩气氛接口:Φ12mm

0.4~0.8MPa

压缩气氛接口:Φ12mm

0.4~0.8MPa

压缩气氛接口:Φ12mm

0.4~0.8MPa

压缩气氛接口:Φ12mm

情况温度 20-25℃ 20-25℃ 20-25℃ 20-25℃
情况湿度 20%-60% 20%-60% 20%-60% 20%-60%
加工材质 滤光片等玻璃材质 LED蓝宝石 碳化硅

实例样品